Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
Homeპროდუქციასამრეწველო ჭკვიანი მოდულის აქსესუარებიDDR3 UDIMM მეხსიერების მოდულის სპეციფიკაციები
საკონტაქტო მიმწოდებელი

DDR3 UDIMM მეხსიერების მოდულის სპეციფიკაციები

გადახდის ტიპი:
L/C,T/T,D/A
ინკოტერმი:
FOB,EXW,CIF
მინ. დაალაგე:
1 Piece/Pieces
ტრანსპორტირება:
Ocean,Air,Express,Land
  • პროდუქტის აღწერა
Overview
პროდუქტის ატრი...

მოდელი ნომერი.NSO4GU3AB

მიწოდების შესა...

ტრანსპორტირებაOcean,Air,Express,Land

გადახდის ტიპიL/C,T/T,D/A

ინკოტერმიFOB,EXW,CIF

შეფუთვა და მიტ...
გაყიდვის ობიექტები:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-pin ddr3 udimm


გადასინჯვის ისტორია

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

ინფორმაციის ცხრილის შეკვეთა

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


აღწერილობა
Hengstar Unbuffered DDR3 SDRAM DIMMS (მონაცემთა ორმაგი მონაცემების სიჩქარე სინქრონული DRAM ორმაგი მეხსიერების მოდულები) არის დაბალი ენერგია, მაღალი სიჩქარით ოპერაციის მეხსიერების მოდულები, რომლებიც იყენებენ DDR3 SDRAM მოწყობილობებს. NS04GU3AB არის 512M x 64-ბიტიანი ორი წოდება 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM UNBUFFERED DIMM პროდუქტი, რომელიც დაფუძნებულია თექვსმეტი 256M x 8-ბიტიანი FBGA კომპონენტებზე. SPD დაპროგრამებულია JEDEC სტანდარტული ლატენტური DDR3-1600 დრო 11-11-11 დროით 1.5V. თითოეული 240-პინიანი DIMM იყენებს ოქროს საკონტაქტო თითებს. SDRAM Unbuffered DIMM განკუთვნილია როგორც ძირითადი მეხსიერება, როდესაც დაყენებულია ისეთ სისტემებში, როგორიცაა კომპიუტერები და სამუშაო სადგურები.


მახასიათებლები
Power ძალაუფლების მიწოდება: VDD = 1.5V (1.425V to 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V to 1.575V)
800MHz FCK 1600 მბ/წმ/პინისთვის
8 დამოუკიდებელი შიდა ბანკი
Cas პროგრამირებადი ლატენტაცია: 11, 10, 9, 8, 7, 6
დანამატის პროგრამირებადი ლატენტაცია: 0, CL - 2, ან CL - 1 საათი
8-ბიტიანი წინასწარი ნაყოფი
 Burst სიგრძე: 8 (ინტერლეივი ყოველგვარი ზღვრის გარეშე, თანმიმდევრული მხოლოდ საწყისი მისამართით "000"), 4 TCCD = 4, რომელიც არ იძლევა უშეცდომო წაკითხვას ან წერს [ან ფრენაზე A12 ან MRS გამოყენებით]
BI- მიმართულებითი დიფერენციალური მონაცემთა სტროფი
 Internal (თვით) კალიბრაცია; შიდა თვით კალიბრაცია ZQ PIN– ის მეშვეობით (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Die სიკვდილის შეწყვეტა ODT PIN– ის გამოყენებით
Conderage Refresh პერიოდი 7.8U- ზე დაბალია, ვიდრე tcase 85 ° C, 3.9US 85 ° C <tcase <95 ° C
Asynchronous გადატვირთვა
Dataucial Data-Output დისკის სიმტკიცე
 ტოპოლოგია
PCB: სიმაღლე 1.18 ”(30 მმ)
 ROHS შესაბამისობაშია და ჰალოგენური თავისუფალი


ძირითადი ვადების პარამეტრები

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


მისამართის ცხრილი

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


პინის აღწერილობები

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

შენიშვნები პინის აღწერილობის ცხრილი ქვემოთ მოცემულია ყველა შესაძლო ქინძისთავების ყოვლისმომცველი ჩამონათვალი ყველა DDR3 მოდულისთვის. ჩამოთვლილი ყველა ქინძისთავები შეიძლება არ უნდა იყოს მხარდაჭერილი ამ მოდულზე. იხილეთ PIN დავალებები ამ მოდულის სპეციფიკური ინფორმაციისთვის.


ფუნქციური ბლოკის დიაგრამა

4GB, 512MX64 მოდული (X8- ის 2RANK)

1


2


Შენიშვნა:
1. ZQ ბურთი თითოეულ DDR3 კომპონენტზე უკავშირდება გარე 240Ω ± 1% რეზისტორს, რომელიც მიბმული აქვს მიწასთან. იგი გამოიყენება კომპონენტის შიდა შეწყვეტისა და გამომავალი დრაივერის კალიბრაციისთვის.



მოდულის ზომები


Წინა ხედი

3

Წინა ხედი

4

შენიშვნები:
1. ყველა ზომები მილიმეტრებშია (ინჩი); მაქსიმალური/წთ ან ტიპიური (ტიპი), სადაც აღინიშნება.
2. ტოლერანტობა ყველა განზომილებაზე ± 0.15 მმ, თუ სხვა რამ არ არის მითითებული.
3. განზომილებიანი დიაგრამა მხოლოდ მითითებისთვისაა.

პროდუქტის კატეგორიები : სამრეწველო ჭკვიანი მოდულის აქსესუარები

ელფოსტის ეს მიმწოდებელი
  • *თემა:
  • *დან:
    Mr. Jummary
  • *ელ.ფოსტა:
  • *შეტყობინება:
    თქვენი შეტყობინება უნდა იყოს 20-8000 სიმბოლოს შორის
Homeპროდუქციასამრეწველო ჭკვიანი მოდულის აქსესუარებიDDR3 UDIMM მეხსიერების მოდულის სპეციფიკაციები
გამოაგზავნეთ გამოძიება
*
*

მთავარი

Product

Phone

Ჩვენს შესახებ

ინტერაქტივი

ჩვენ დაუყოვნებლივ დაგიკავშირდებით

შეავსეთ დამატებითი ინფორმაცია, რომ უფრო სწრაფად დაგიკავშირდეთ

კონფიდენციალურობის შესახებ განცხადება: თქვენი კონფიდენციალურობა ჩვენთვის ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩვენი კომპანია გვპირდება, რომ არ გაამჟღავნოს თქვენი პირადი ინფორმაცია ნებისმიერ ექსპოზიციაზე, თქვენი მკაფიო ნებართვებით.

გაგზავნა